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FP131	文件：450.89 Kbytes Page：11 Pages	OverCurrentProtectionIC	FEELINGFeeling Technology Corp. 遠(yuǎn)翔科技遠(yuǎn)翔科技股份有限公司	FEELING
FP131DR-LF	文件：450.89 Kbytes Page：11 Pages	OverCurrentProtectionIC	FEELINGFeeling Technology Corp. 遠(yuǎn)翔科技遠(yuǎn)翔科技股份有限公司	FEELING
FSS131	文件：28.22 Kbytes Page：4 Pages	LoadSwitchingApplications LoadSwitchingApplications Features ?LowON-resistance. ?Ultrahigh-speedswitching. ?2.5Vdrive.	SANYOSanyo 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
FTC131	文件：189.59 Kbytes Page：4 Pages	1A500V/600VBIDIRECTIONALTRIACS	FCIFirst Components International 戈采戈采企業(yè)股份有限公司	FCI
GRF131	文件：1.03423 Mbytes Page：6 Pages	SURFACEMOUNTHIGHREPEATABILITYSPDT,BROADBAND18GHZ,40GBPSNON-LATCHINGRFRELAY DESCRIPTION TheultraminiatureSeriesGRF131isdesignedtoprovide apracticalsurface-mountswitching solutionwithRFperformanceandrepeatabilityto 18GHz.TheGRF131improvesonTeledyneRelays’ heritageofminiatureRFrelaysbyincorporatingaprecision transmissionlinestructurein	TELEDYNE Teledyne Technologies Incorporated	TELEDYNE
HCX-D131	文件：189.59 Kbytes Page：1 Pages	For76.8V24SLiFePO4BatteryPacks	BESTECHBesTech Power Co., Ltd 百思特百思特電源有限公司	BESTECH
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HVC131	文件：82.66 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforAntennaSwitching Features ?Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) ?Lowforwardresistance.(rf=1.0?max) ?UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HVC131	文件：31.44 Kbytes Page：1 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiode Features Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) Lowforwardresistance.(rf=1.0max)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
HVD131	文件：22.77 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencySwitching Features ?Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) ?Lowforwardresistance.(rf=1.0?max) ?SupersmallFlatPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HVD131	文件：82.91 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforAntennaSwitching Features ?Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) ?Lowforwardresistance.(rf=1.0?max) ?SupersmallFlatPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HVU131	文件：23.4 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencySwitching Features ?Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) ?Lowforwardresistance.(rf=1.0?max) ?UltrasmallResinPackage(URP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HVU131	文件：77.82 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforAntennaSwitching Features ?Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) ?Lowforwardresistance.(rf=1.0?max) ?UltrasmallResinPackage(URP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HVU131	文件：31.96 Kbytes Page：1 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiode Features ●Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) ●Lowforwardresistance.(rf=1.0Ωmax)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
HVU131	文件：187.22 Kbytes Page：1 Pages	LowCapacitanceLowForwardresistance Features ●Lowcapacitance.(C=0.8pFmax) ●Lowforwardresistance.(rf=1.0Ωmax)	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
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