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FGPF4633RDTU_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_IGBT 晶體管 N-ch / 70A 330V 4G PDP Trench IGBT宏捷佳二部

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  • 廠家型號(hào)：

    FGPF4633RDTU

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    9350

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-220-3 整包

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-2 8:50:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：FGPF4633RDTU品牌：onsemi

獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證

  • 芯片型號(hào)：

    FGPF4633RDTU

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    FAIRCHILD【仙童半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    Fairchild Semiconductor

  • 中文名稱：

    飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    14 頁(yè)

  • 文件大小：

    298.83 kb

  • 資料說(shuō)明：

    DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    FGPF4633RDTU

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 N-ch/70A 330V 4G PDP Trench IGBT

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市宏捷佳電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    許小姐

  • 手機(jī)：

    13530520535

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83201583/83214703

  • 傳真：

    0755-22669259

  • 地址：

    福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室

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