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FGL60N100BNTD 分立半導體產品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導體

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  • 廠家型號：

    FGL60N100BNTD

  • 產品分類：

    芯片

  • 生產廠商：

    ONSEMI/安森美半導體

  • 庫存數(shù)量：

    12000

  • 產品封裝：

    TO264

  • 生產批號：

    23+

  • 庫存類型：

    優(yōu)勢庫存

  • 更新時間：

    2025-1-2 13:12:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：FGL60N100BNTD品牌：ON

原裝進口、正品保障、合作持久

FGL60N100BNTD是分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ON/onsemi生產封裝TO264/TO-264-3，TO-264AA的FGL60N100BNTD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    FGL60N100BNTD

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    FAIRCHILD【仙童半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    Fairchild Semiconductor

  • 中文名稱：

    飛兆/仙童半導體公司

  • 內容頁數(shù)：

    7 頁

  • 文件大?。?/span>

    394.77 kb

  • 資料說明：

    1000 V, 60 A NPT Trench IGBT

產品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產品編號：

    FGL60N100BNTD

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT 和溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.9V @ 15V，60A

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    140ns/630ns

  • 測試條件：

    600V，60A，51 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-264-3，TO-264AA

  • 供應商器件封裝：

    TO-264-3

  • 描述：

    IGBT 1000V 60A 180W TO264

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市長旗科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    劉先生

  • 手機：

    15817260738

  • 詢價：
  • 電話：

    15817260738

  • 地址：

    福田區(qū)華強北街道佳和大廈A座1518

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