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FGHL40T65MQD	文件：338.01 Kbytes Page：9 Pages	Field Stop Trench IGBT 650 V, 40 A Fieldstop4thgenerationmidspeedIGBTtechnologyandfull currentratedcopakDiodetechnology. Features ?MaximumJunctionTemperature:TJ=175°C ?PositiveTemperatureCo?efficientforEasyParallelOperating ?HighCurrentCapability ?LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.45V(Typ.)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGHL40T65MQD	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 650V 40A TO247	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGHL40T65MQDT	文件：257.72 Kbytes Page：9 Pages	Field Stop Trench IGBT 650 V, 40 A Fieldstop4thgenerationmidspeedIGBTtechnologycopacked withfullratedcurrentdiode. Features ?MaximumJunctionTemperature:TJ=175°C ?PositiveTemperatureCo?efficientforEasyParallelOperating ?HighCurrentCapability ?LowSaturationVoltage:VCE(Sat)=1.45V(Typ.)@IC=	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGHL40T65MQDT	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：FS4 MID SPEED IGBT 650V 40A TO24	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
40T65FDSC	文件：1.88982 Mbytes Page：8 Pages	650VFieldStopIGBT	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
AFGB40T65RQDN	文件：248.65 Kbytes Page：10 Pages	IGBTforAutomotiveApplications650V,40A UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,onsemi’snewseriesof FS4IGBTsoffertheoptimumperformanceforautomotive applications.ThistechnologyisShortcircuitratedandoffershigh figureofmeritwithlowconductionandswitchinglosses. Features ?MaximumJunctionTemperature:TJ=17	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
AFGB40T65SQDN	文件：310.98 Kbytes Page：10 Pages	IGBTforAutomotiveApplications,650V,40A,D2PAK Features ?MaximumJunctionTemperature:TJ=175?C ?HighSpeedSwitchingSeries ?VCE(sat)=1.6V(Typ.)@IC=40A ?100%ofthePartareDynamicallyTested(Note1) ?AEC?Q101Qualified ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant TypicalApplications ?AutomotiveOnBoard	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
AFGB40T65SQDN	文件：271.44 Kbytes Page：9 Pages	IGBTforAutomotiveApplications,650V,40A,D2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
AFGHL40T65RQDN	文件：336.02 Kbytes Page：9 Pages	IGBTforAutomotiveApplication650V,40A UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,onsemi’snewseriesof FS4IGBTsoffertheoptimumperformanceforautomotive applications.ThistechnologyisShortcircuitratedandoffershigh figureofmeritwithlowconductionandswitchinglosses. Features ?MaximumJunctionTemperature:TJ=17	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
AFGHL40T65SPD	文件：455.16 Kbytes Page：11 Pages	FieldStopTrenchIGBT40A,650V Description Usingthenovelfieldstop3rdgenerationIGBTtechnology, AFGHL40T65SPDofferstheoptimumperformancewithbothlow conductionlossandswitchinglossforahighefficiencyoperationin variousapplications,whichprovides50Vhigherblockingvoltage andruggedhighcurrentswi	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
AFGHL40T65SPD	文件：407.28 Kbytes Page：10 Pages	FieldStopTrenchIGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
AFGHL40T65SQ	文件：255.16 Kbytes Page：8 Pages	FieldStopTrenchIGBT40A,650V	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
AFGHL40T65SQD	文件：268.72 Kbytes Page：9 Pages	FieldStopTrenchIGBT40A,650V	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGA40T65SHD	文件：228.39 Kbytes Page：9 Pages	FieldStopTrenchIGBT650V,40A GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,onsemi’snewseriesof fieldstop3rdgenerationIGBTsoffertheoptimumperformancefor solarinverter,UPS,welder,telecom,ESSandPFCapplicationswhere lowconductionandswitchinglossesareessential. Features ?MaximumJunc	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGB40T65SP	文件：946.61 Kbytes Page：11 Pages	FieldStopTrenchIGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGB40T65SPD	文件：370.79 Kbytes Page：3 Pages	Field-StopTrenchIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.0V@IC=40A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·MotorDriver ·AutomotiveChargers ·OnboardCharge ·AirConCompressor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FGB40T65SPD	文件：946.61 Kbytes Page：11 Pages	FieldStopTrenchIGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGH40T65SH	文件：480.04 Kbytes Page：8 Pages	IGBT-FieldStop,Trench650V,40A	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGH40T65SHD	文件：1.27362 Mbytes Page：9 Pages	IGBT-FieldStop,Trench650V,40A	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGH40T65SHDF	文件：503.73 Kbytes Page：9 Pages	IGBT-FieldStop,Trench650V,40A Description UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,ONSemiconductor’snew seriesoffieldstop3rdgenerationIGBTsoffersuperiorconduction andswitchingperformanceandeasyparalleloperation.Thisdevice iswellsuitedfortheresonantorsoftswitchingapplicationsuchas inductionhea	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
FGHL40T65MQD
制造商：
onsemi
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
IGBT 類型：
溝槽型場截止
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，40A
開關(guān)能量：
860μJ（開），520μJ（關(guān)）
輸入類型：
標準
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
22ns/109ns
測試條件：
400V，40A，10 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-247-3
描述：
IGBT 650V 40A TO247

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市浩睿澤電子科技有限公司	FGHL40T65MQD	onsemi/安森美	新批次	TO-247	4500		詢價
深圳市高捷芯城科技有限公司	FGHL40T65MQD	onsemi(安森美)	23+	TO-247	928	原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)	詢價
千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司	FGHL40T65MQD	ON	21+	TO247	30000	ON一級代理商原裝進口現(xiàn)貨	詢價
深圳市達恩科技有限公司	FGHL40T65MQD	ON	21+	NA	3000	進口原裝假一罰十現(xiàn)貨	詢價
深圳市祥瑞智科技有限公司	FGHL40T65MQD	ON	22+	TO-247	2250	原廠原裝,價格優(yōu)勢!13246658303	詢價
深圳市盈盛科創(chuàng)科技有限公司	FGHL40T65MQD	ON	21+	NA	3000	進口原裝假一罰十現(xiàn)貨	詢價
深圳市朱博士電子科技有限公司	FGHL40T65MQD	ONN	2405+	原廠封裝	262	只做原裝優(yōu)勢現(xiàn)貨庫存渠道可追溯	詢價
深圳市星辰微電科技有限公司	FGHL40T65MQD	ON	24+	TO-247-3LD	25000	ON全系列可訂貨	詢價
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	FGHL40T65MQD		24+	N/A	46000	一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇	詢價
深圳市水星電子有限公司	FGHL40T65MQD	onsemi	23+	TO-247-3	2772	確保原裝正品,專注終端客戶一站式BOM配單	詢價

更多FGHL40T65MQD供應(yīng)商更新時間2024-11-7 16:18:00

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