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首頁>FGH75T65UPD-F155>芯片詳情
FGH75T65UPD 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
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原廠料號(hào):FGH75T65UPD品牌:ON/安森美
原裝正品,現(xiàn)貨庫存,1小時(shí)內(nèi)發(fā)貨
FGH75T65UPD是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ON/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝TO-247/TO-247-3的FGH75T65UPD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
FGH75T65UPD-F155
- 制造商:
onsemi
- 類別:
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.3V @ 15V,75A
- 開關(guān)能量:
3.68mJ(開),1.6mJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
42ns/216ns
- 測(cè)試條件:
400V,75A,3 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247
- 描述:
650V,75A FIELD STOP TRENCH IGBT
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市高捷芯城科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
傅小姐
- 手機(jī):
13378407305
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-83062789
- 傳真:
0755-82550578
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華富路1006號(hào)航都大廈10層
相近型號(hào)
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