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FDI8441

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.7mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmod

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FDI8442

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.7mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmod

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FDI9406

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.7mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmod

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FDI9406-F085

N-Channel PowerTrench? MOSFET

Features ?TypRDS(on)=1.73mΩatVGS=10V,ID=80A ?TypQg(tot)=107nCatVGS=10V,ID=80A ?UISCapability ?RoHSCompliant ?QualifiedtoAECQ101 Applications ?AutomotiveEngineControl ?PowertrainManagement ?SolenoidandMotorDrivers ?ElectronicSteering ?Integrate

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

FDI_18

Inline Fuseholder, 5x20 / 6.3x32 mm

SCHURTERSchurter Inc.

碩特碩特集團

FDI025N06

N-Channel PowerTrench? MOSFET 60V, 265A, 2.5m廓

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDI030N06

N-Channel PowerTrench? MOSFET 60V, 193A, 3.2mW

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDI036N10A

Marking：I2PAK；Package：TO-262；isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FDI038AN06A0

N-Channel PowerTrench? MOSFET 60V, 80A, 3.8m?

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDI038AN06A0_10

N-Channel PowerTrench? MOSFET 60V, 80A, 3.8m廓

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    FDI

  • 功能描述：

    MOSFET 60V N-Channel PowerTrench

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FAIRCHIL
23+
TO-262
9526
詢價
仙童
06+
TO-262
2500
原裝
 詢價
Fairchild
23+
TO-262AB
7750
全新原裝優(yōu)勢
 詢價
FAIRCHILD
24+
TO-262(I2PAK)
8866
詢價
FAIRCHILD
24+
TO-262
5000
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨
 詢價
FAIRCHILD
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
PHI
22+
BGA
2000
進口原裝!現(xiàn)貨庫存
 詢價
PHI
24+
BGA
2140
全新原裝!現(xiàn)貨特價供應
 詢價
3M
新
5
全新原裝 貨期兩周
 詢價
FAIRCHI
23+
TO220
8560
受權代理!全新原裝現(xiàn)貨特價熱賣!
 詢價
更多FDI供應商 更新時間2025-3-31 17:32:00

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