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F1129HB	文件：2.084909 Mbytes Page：22 Pages	50Ω SE-In – 100Ω DIFF-Out Amplifier 3.0GHz to 4.2GHz Features RFrange:3.0GHzto4.2GHz Gain=19dBat3.55GHz Noisefigure=1.8dBat3.55GHz OIP3=+32dBmat3.55GHz OutputP1dB=+18dBmat3.55GHz Gainvariationovertemperature=±0.15dBtypical 50Ωsingle-endedinputimpedances 100Ωdifferentialoutputimpedances 3.3Vor5Vp	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
F1129LB	文件：2.084909 Mbytes Page：22 Pages	50ΩSE-In–100ΩDIFF-OutAmplifier3.0GHzto4.2GHz Features RFrange:3.0GHzto4.2GHz Gain=19dBat3.55GHz Noisefigure=1.8dBat3.55GHz OIP3=+32dBmat3.55GHz OutputP1dB=+18dBmat3.55GHz Gainvariationovertemperature=±0.15dBtypical 50Ωsingle-endedinputimpedances 100Ωdifferentialoutputimpedances 3.3Vor5Vp	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
F1129MB	文件：2.084909 Mbytes Page：22 Pages	50ΩSE-In–100ΩDIFF-OutAmplifier3.0GHzto4.2GHz Features RFrange:3.0GHzto4.2GHz Gain=19dBat3.55GHz Noisefigure=1.8dBat3.55GHz OIP3=+32dBmat3.55GHz OutputP1dB=+18dBmat3.55GHz Gainvariationovertemperature=±0.15dBtypical 50Ωsingle-endedinputimpedances 100Ωdifferentialoutputimpedances 3.3Vor5Vp	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
F1129MBEVB	文件：2.084909 Mbytes Page：22 Pages	50ΩSE-In–100ΩDIFF-OutAmplifier3.0GHzto4.2GHz Features RFrange:3.0GHzto4.2GHz Gain=19dBat3.55GHz Noisefigure=1.8dBat3.55GHz OIP3=+32dBmat3.55GHz OutputP1dB=+18dBmat3.55GHz Gainvariationovertemperature=±0.15dBtypical 50Ωsingle-endedinputimpedances 100Ωdifferentialoutputimpedances 3.3Vor5Vp	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
F1129MBNELI	文件：2.084909 Mbytes Page：22 Pages	50ΩSE-In–100ΩDIFF-OutAmplifier3.0GHzto4.2GHz Features RFrange:3.0GHzto4.2GHz Gain=19dBat3.55GHz Noisefigure=1.8dBat3.55GHz OIP3=+32dBmat3.55GHz OutputP1dB=+18dBmat3.55GHz Gainvariationovertemperature=±0.15dBtypical 50Ωsingle-endedinputimpedances 100Ωdifferentialoutputimpedances 3.3Vor5Vp	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
GP1129	文件：83.19 Kbytes Page：1 Pages	U.S.ELECTRICALDIVISIONMANCHESTER,NH03108	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
HAT1129R	文件：2.12619 Mbytes Page：7 Pages	P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
HTT1129E	文件：280.41 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNPNEpitaxialTwinTransistor Features ?Include2transistorsinasmallsizeSMDpackage:EMFPAK–6(6Leads:1.2x0.8x0.5mm)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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ISF1129	文件：349.89 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelPowerMOSFET DESCRIPTION ·AvalancheRated ·DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=230mΩ(Max)@VGS=10V ·100%avalanchetested APPLICATIONS ·HighPowerDensity ·EasytoMount ·SpaceSavings	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
LT1129	文件：251.63 Kbytes Page：18 Pages	3A,5A,7.5ALowDropoutPositiveFixedRegulators Features -Three-Terminal3.3V,3.6V,5Vand12V -OutputCurrentof3A,5Aor7.5A -OperatesDownto1VDropout -GuaranteedDropoutVoltageatMultipleCurrentLevels -LineRegulation:0.015 -LoadRegulation:0.1 -100ThermalLimitFunctionalTest -AdjustableVersionsAvailable	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體	LINER
LT1129	文件：193.79 Kbytes Page：12 Pages	LowDropoutNegativeMicropowerRegulatorinThinSOT	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體	LINER
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