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F1129MBEVB	文件：2.084909 Mbytes Page：22 Pages	50Ω SE-In – 100Ω DIFF-Out Amplifier 3.0GHz to 4.2GHz Features RFrange:3.0GHzto4.2GHz Gain=19dBat3.55GHz Noisefigure=1.8dBat3.55GHz OIP3=+32dBmat3.55GHz OutputP1dB=+18dBmat3.55GHz Gainvariationovertemperature=±0.15dBtypical 50Ωsingle-endedinputimpedances 100Ωdifferentialoutputimpedances 3.3Vor5Vp	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
F1129MBEVB	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：盒類別：開發(fā)板，套件，編程器射頻評估和開發(fā)套件，開發(fā)板描述：BOARD	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
F1129MBNELI	文件：2.084909 Mbytes Page：22 Pages	50ΩSE-In–100ΩDIFF-OutAmplifier3.0GHzto4.2GHz Features RFrange:3.0GHzto4.2GHz Gain=19dBat3.55GHz Noisefigure=1.8dBat3.55GHz OIP3=+32dBmat3.55GHz OutputP1dB=+18dBmat3.55GHz Gainvariationovertemperature=±0.15dBtypical 50Ωsingle-endedinputimpedances 100Ωdifferentialoutputimpedances 3.3Vor5Vp	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
GP1129	文件：83.19 Kbytes Page：1 Pages	U.S.ELECTRICALDIVISIONMANCHESTER,NH03108	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
HAT1129R	文件：2.12619 Mbytes Page：7 Pages	P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導體有限公司	DOINGTER
HTT1129E	文件：280.41 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNPNEpitaxialTwinTransistor Features ?Include2transistorsinasmallsizeSMDpackage:EMFPAK–6(6Leads:1.2x0.8x0.5mm)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HTT1129EZTL-E	文件：280.41 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNPNEpitaxialTwinTransistor Features ?Include2transistorsinasmallsizeSMDpackage:EMFPAK–6(6Leads:1.2x0.8x0.5mm)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
ISF1129	文件：349.89 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelPowerMOSFET DESCRIPTION ·AvalancheRated ·DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=230mΩ(Max)@VGS=10V ·100%avalanchetested APPLICATIONS ·HighPowerDensity ·EasytoMount ·SpaceSavings	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
LT1129	文件：251.63 Kbytes Page：18 Pages	3A,5A,7.5ALowDropoutPositiveFixedRegulators Features -Three-Terminal3.3V,3.6V,5Vand12V -OutputCurrentof3A,5Aor7.5A -OperatesDownto1VDropout -GuaranteedDropoutVoltageatMultipleCurrentLevels -LineRegulation:0.015 -LoadRegulation:0.1 -100ThermalLimitFunctionalTest -AdjustableVersionsAvailable	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導體	LINER
LT1129	文件：193.79 Kbytes Page：12 Pages	LowDropoutNegativeMicropowerRegulatorinThinSOT	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導體	LINER
LT1129	文件：175.19 Kbytes Page：16 Pages	MicropowerLowDropoutRegulatorswithShutdown	LINEAR Linear Integrated Systems	LINEAR
LT1129	文件：192.78 Kbytes Page：16 Pages	100mA,LowVoltage,VeryLowDropoutLinearRegulator	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導體	LINER
LT1129	文件：160.23 Kbytes Page：16 Pages	400mVDropoutVoltage	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導體	LINER
LT1129	文件：195.18 Kbytes Page：16 Pages	500mA,LowVoltage,VeryLowDropoutLinearRegulator	LINEAR_DIMENSIONS Linear Dimensions Semiconductor	LINEAR_DIMENSIONS
LT1129	文件：232.91 Kbytes Page：20 Pages	250mA,4Vto80VLowDropoutMicropowerLinearRegulatorwithPWRGD	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導體	LINER
LT1129	文件：208.36 Kbytes Page：16 Pages	1.1A,LowNoise,LowDropoutLinearRegulator	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導體	LINER
LT1129	文件：276.02 Kbytes Page：12 Pages	MicropowerLowDropoutRegulatorswithShutdown	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導體	LINER
LT1129CQ	文件：276.02 Kbytes Page：12 Pages	MicropowerLowDropoutRegulatorswithShutdown	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導體	LINER
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LT1129CQ	文件：160.23 Kbytes Page：16 Pages	400mVDropoutVoltage	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導體	LINER

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
F1129MBEVB
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
開發(fā)板，套件，編程器 > 射頻評估和開發(fā)套件，開發(fā)板
包裝：
盒
類型：
放大器
頻率：
3GHz ~ 4.2GHz
配套使用/相關產(chǎn)品：
F1129MB
所含物品：
板
描述：
BOARD

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	F1129MBEVB		24+	N/A	69000	一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇	詢價
艾睿國際（香港）有限公司	F1129MBNELI	RENESAS(瑞薩)/IDT	2117+	VFQFPN-12(2x2)	315000	nan一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單	詢價
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貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	F1129MBNELI	RENESAS瑞薩/IDT	23+	VFQFPN-12(2x2)	10000	原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
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更多F1129MBEVB供應商更新時間2024-10-24 11:06:00

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