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HM2807	文件：511.34 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HM2807D	文件：551.27 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HSMS-2807	文件：139.06 Kbytes Page：10 Pages	SurfaceMountRFSchottkyBarrierDiodes Description/Applications TheseSchottkydiodesarespecificallydesignedforbothanaloganddigitalapplications.Thisseriesoffersawiderangeofspecificationsandpackageconfigurationstogivethedesignerwideflexibility.TypicalapplicationsoftheseSchottkydiodesaremixing,detectin	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷倫科技安捷倫科技有限公司	HP
IIRF2807	文件：338.77 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IIRF2807Z	文件：340.21 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF2807	文件：207.45 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=75V,Id=82A?? Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF2807	文件：338.77 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF2807	文件：768.71 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlevelstoapproximately50watts.ThelowthermalresistanceandlowpackagecostoftheTO-220contributetoitswideacceptancethroughouttheindustry. ●AdvancedProcessTe	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF2807	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
IRF2807L	文件：1.1772 Mbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology Description AdvancedMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,providesthede	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF2807L	文件：133.54 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF2807L	文件：300.39 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF2807L	文件：134.58 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF2807L	文件：269.4 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF2807LPBF	文件：269.4 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF2807LPBF	文件：4.24691 Mbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnologyUltraLowOn-Resistance Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF2807PBF	文件：192.22 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF2807PBF	文件：3.08673 Mbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF2807S	文件：1.07275 Mbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology Description AdvancedMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,providesthede	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF2807S	文件：189.1 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
EVAL-ADN2807-CML
制造商：
Analog Devices
功能描述：
155/622MBPS CDR EVAL BOARD - Bulk

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市納睿斯電子科技有限公司	EVAL-ADN2812EBZ	ADI/亞德諾	23+		20000	原裝現(xiàn)貨,可追溯原廠渠道	詢價
深圳市中聯(lián)芯電子有限公司	EVAL-ADN2812EBZ	ADI/亞德諾	23+	EB/PCB	3000	只做原裝正品,假一賠十	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	EVAL-ADN2812-U2	ADI	22+	N/A	60000	專注配單,只做原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	EVAL-ADN2812-U2	ADI	23+	N/A	5000	專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨	詢價
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	EVAL-ADN2812-U2	ADI	23+	N/A	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	EVAL-ADN2812-U2	ADI	23+	N/A	7000		詢價
深圳市易訊博科技有限公司	EVAL-ADN2817EBZ	AD	1824+	NA	16	加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,	詢價
深圳市旺財半導(dǎo)體有限公司	EVAL-ADN2817EBZ	Analog Devices	23+		1500		詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	EVAL-ADN2819-CML	AD	23+	原廠原包	19960	只做進口原裝終端工廠免費送樣	詢價
深圳市星佑電子有限公司	EVAL-ADN2830-EB	ADI		EVALUATION B	1	全新原裝絕對有貨	詢價

更多EVAL-ADN2807-CML供應(yīng)商更新時間2024-12-26 14:00:00

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