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EC9210	文件：903.35 Kbytes Page：16 Pages	High Efficiency 1.5MHz, Step up Regulator	E-CMOSE-CMOS Corporation 飛虹高科飛虹高科股份有限公司	E-CMOS
EC9210NNT2R	文件：903.35 Kbytes Page：16 Pages	High Efficiency 1.5MHz, Step up Regulator	E-CMOSE-CMOS Corporation 飛虹高科飛虹高科股份有限公司	E-CMOS
FP9210	文件：62.87 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL Features HighGain:29dBTypical OperatingTemp.-55oCto+85oC EnvironmentalScreeningAvailable TypicalIntermodulationPerformanceat25oC SecondOrderHarmonicInterceptPoint.......+39dBm(Typ.) SecondOrderTwoToneInterceptPoint........+33dBm(Typ.) Thi	APITECH API Technologies Corp	APITECH
GFC9210	文件：112.94 Kbytes Page：1 Pages	PChannelPowerMOSFET	GSG Gunter Seniconductor GmbH.	GSG
HDM9210	文件：176.88 Kbytes Page：6 Pages	FrequencySynthesizer	SHOULDERShoulder 好達(dá)電子無(wú)錫市好達(dá)電子股份有限公司	SHOULDER
HF9210	文件：58.89 Kbytes Page：3 Pages	HERMETICALLYSEALEDRELAUY	HONGFAHongfa Technology 宏發(fā)電聲廈門宏發(fā)電聲股份有限公司	HONGFA
IRFD9210	文件：171.48 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-200V,Rds(on)=3.0ohm,Id=-0.40A) DESCRIPTION TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerHEXFETdesignarchieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. ?D	IRF International Rectifier	IRF
IRFD9210	文件：1.45559 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishayadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETsdesignarchieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. The4pinDIP	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD9210	文件：797.73 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Forautomaticinsertion ?Endstackable ?P-channel ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION ThepowerMOSFETstechnolo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD9210PBF	文件：1.45559 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishayadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETsdesignarchieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. The4pinDIP	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD9210PBF	文件：1.75197 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET DESCRIPTION TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerHEXFETdesignarchieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. ?D	IRF International Rectifier	IRF
IRFD9210PBF	文件：797.73 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFE9210	文件：134.97 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFET?TRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.DesingedtobeaclosereplacementfortheTO-39package,theLCCwillgivedesignersth	IRF International Rectifier	IRF
IRFE9210	文件：138.25 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFF9210	文件：130.59 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE(TO-205AF) ProductSummary TheHEXFET?technologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. TheHEXFETtr	IRF International Rectifier	IRF
IRFF9210	文件：16.67 Kbytes Page：1 Pages	P-ChannelMOSFETinaHermeticallysealedTO39	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFF9210	文件：134.06 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFR9210	文件：172.29 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-200V,Rds(on)=3.0ohm,Id=-1.9A) DESCRIPTION TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHEXFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheD-	IRF International Rectifier	IRF
IRFR9210	文件：1.5825 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheDPAK	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR9210	文件：4.45842 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFET designachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheDP	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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深圳市芯祺盛科技有限公司	EC9210NNT2R	E-CMOS	2018+	SOT23-5	36365	專業(yè)代理DC-DC升壓IC,優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品	詢價(jià)
深圳市粵駿騰電子科技有限公司	EC9210NNT2R	E-CMOS	24+	SOT23-5	36365	專業(yè)代理DC-DC升壓IC,優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品	詢價(jià)
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更多EC9210供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-26 16:16:00

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