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首頁(yè)>EC3H02BA-TL-H>芯片詳情
EC3H02BA 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
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原廠料號(hào):EC3H02BA品牌:ON
原裝正品假一罰十,代理渠道價(jià)格優(yōu)
EC3H02BA是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻。制造商O(píng)N/onsemi生產(chǎn)封裝TO-220-3/3-XFDFN的EC3H02BA晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開(kāi)關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類(lèi)型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
產(chǎn)品屬性
更多- 類(lèi)型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
EC3H02BA-TL-H
- 制造商:
onsemi
- 類(lèi)別:
- 包裝:
托盤(pán)
- 晶體管類(lèi)型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
10V
- 頻率 - 躍遷:
7GHz
- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):
1dB @ 1GHz
- 增益:
8.5dB
- 功率 - 最大值:
100mW
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
120 @ 20mA,5V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
70mA
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
3-XFDFN
- 供應(yīng)商器件封裝:
ECSP1006-3
- 描述:
RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3-ECSP1006
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市芯皇電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
王先生
- 手機(jī):
18122218584
- 詢(xún)價(jià):
- 電話:
0755-23603869
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道賽格科技園4棟東座11樓D05
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