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DS1230W-100

3.3V 256k Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION TheDS1230W3.3V256kNonvolatileSRAMisa262,144-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitry,whichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchacond

Dallas

Dallas Semiconductor

DS1230W-100

包裝：管件 封裝/外殼：28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

DS1230W-100+

3.3V 256k Nonvolatile SRAM

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導(dǎo)體

DS1230W-100IND+

3.3V 256k Nonvolatile SRAM

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美信美信半導(dǎo)體

DS1230W-100IND

包裝：管件 封裝/外殼：28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

DS1230W-100IND+

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    DS1230W-100

  • 制造商：

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    NVSRAM

  • 技術(shù)：

    NVSRAM（非易失性 SRAM）

  • 存儲容量：

    256Kb（32K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    100ns

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    28-EDIP

  • 描述：

    IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多DS1230W-100供應(yīng)商 更新時間2024-11-8 16:18:00

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