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DS1230Y-70IND+

256k Nonvolatile SRAM

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導體

DS1230Y-70IND+

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美信美信半導體

DS1230Y-70IND+

包裝：管件 封裝/外殼：28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術有限公司

DS1230Y-70

256kNonvolatileSRAM

DESCRIPTION TheDS1230256kNonvolatileSRAMsare262,144-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditio

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DS1230Y-70IND

256kNonvolatileSRAM

DESCRIPTION TheDS1230256kNonvolatileSRAMsare262,144-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditio

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DS1230Y-70-IND

256kNonvolatileSRAM

DESCRIPTION TheDS1230256kNonvolatileSRAMsare262,144-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditio

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產品屬性

  • 產品編號：

    DS1230Y-70IND+

  • 制造商：

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    NVSRAM

  • 技術：

    NVSRAM（非易失性 SRAM）

  • 存儲容量：

    256Kb（32K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    70ns

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）

  • 供應商器件封裝：

    28-EDIP

  • 描述：

    IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
MAXIM
13+
MOD
3758
原裝分銷
 詢價
DALLAS
23+
SOP
9896
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MAXIM
23+
28-Dip
7750
全新原裝優(yōu)勢
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19+
DIP
256800
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；
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24+
DIP
19500
DALLAS授權代理品牌進口原裝現(xiàn)貨假一賠十
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23+
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專做原裝正品,假一罰百!
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22+23+
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16396
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨
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QFP48
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原裝現(xiàn)貨專業(yè)代理,可以代拷程序
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SSOP16
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更多DS1230Y-70IND+供應商 更新時間2025-1-11 9:00:00

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