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FGA90N30D	文件：833.24 Kbytes Page：9 Pages	300VPDPIGBT Description EmployingUnifiedIGBTTechnology,FGA90N30Dprovideslowconductionandswitchingloss.FGA90N30DofferstheoptimumsolutionforPDPapplicationswherelowcondutionlossisessential. Features ?HighCurrentCapability ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat),Typ=1.1V@IC	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
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IXFK90N30	文件：325.19 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=33mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IXFK90N30	文件：125.62 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs Features ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect ?Fastintrinsicrectifier Applications ?DC-DCconverters ?Battery	IXYS IXYS Corporation	IXYS

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