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Marking：D7N；Package：DSBGA；Single 2-Input NAND Gate With Open-Drain Output | TI1Texas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司 | TI1 | ||
Marking：D7N；Package：DSBGA；Single 2-Input NAND Gate With Open-Drain Output | TI1Texas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司 | TI1 | ||
Marking：D7NA60；Package：TO-252AA；600V N-Channel MOSFET Features ?RDS(ON),VGS@10V,ID@3.5A | PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司 | PANJIT | ||
Marking：D7N20；Package：PDFN2X2；N -Channel Enhancement MOSFET Feature 20V,6.8A RDS(ON)2KV | RECTRON Rectron Semiconductor | RECTRON | ||
Marking：D7NE65；Package：TO-252；7A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司 | WXDH | ||
Marking：D7NE65；Package：TO-252；7A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司 | WXDH | ||
Marking：D7NE65；Package：TO-252；7A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司 | WXDH | ||
Marking：D7NE65；Package：TO-252；7A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司 | WXDH | ||
Marking：D7NE65；Package：TO-252；7A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司 | WXDH | ||
Marking：D7N65H；Package：TO-252；650V N-Channel MOSFET | WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光國(guó)微紫光國(guó)芯微電子股份有限公司 | WUMC |
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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