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CYPT15B101N-GGMB

1-Mb parallel F-RAM with RADSTOP? technology

Features ?1-Mbitferroelectricrandomaccessmemory(F-RAM)logicallyorganizedas(64K×16)or(128K×8) -High-endurance10trillion(1013)reads/writes -121yeardataretention(see“Dataretentionandendurance”onpage13) -Infineoninstantnon-volatilewritetechnology -Page-mode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

CY15B101N

1-Mbit(64K?16)AutomotiveF-RAMMemory

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導體公司

CYRS15B101N

1-MbparallelF-RAMwithRADSTOP?technology

Features ?1-Mbitferroelectricrandomaccessmemory(F-RAM)logicallyorganizedas(64K×16)or(128K×8) -High-endurance10trillion(1013)reads/writes -121yeardataretention(see“Dataretentionandendurance”onpage13) -Infineoninstantnon-volatilewritetechnology -Page-mode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

CYRS15B101N-GGMB

1-MbparallelF-RAMwithRADSTOP?technology

Features ?1-Mbitferroelectricrandomaccessmemory(F-RAM)logicallyorganizedas(64K×16)or(128K×8) -High-endurance10trillion(1013)reads/writes -121yeardataretention(see“Dataretentionandendurance”onpage13) -Infineoninstantnon-volatilewritetechnology -Page-mode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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INFINEON TECHNOLOGIES AG
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更多CYPT15B101N-GGMB供應商 更新時間2024-12-22 14:30:00