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CY7C1361C-133AXI

9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM

FunctionalDescription[1] TheCY7C1361C/CY7C1363Cisa3.3V,256Kx36and512Kx18SynchronousFlowthroughSRAMs,respectivelydesignedtointerfacewithhigh-speedmicroprocessorswithminimumgluelogic.Maximumaccessdelayfromclockriseis6.5ns(133-MHzversion).A2-biton-chipcounter

CypressCypressSemiconductor

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9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM

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9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM

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9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM

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9-Mbit (256 K ? 36/512 K ? 18) Flow-Through SRAM

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CY7C1361C-133AXI

包裝:托盤 封裝/外殼:100-LQFP 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

Cypress Semiconductor Corp

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CY7C1361C-133AXIT

包裝:托盤 封裝/外殼:100-LQFP 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

Cypress Semiconductor Corp

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CY7C1361C-133BGC

9-Mbit(256Kx36/512Kx18)Flow-ThroughSRAM

FunctionalDescription[1] TheCY7C1361C/CY7C1363Cisa3.3V,256Kx36and512Kx18SynchronousFlowthroughSRAMs,respectivelydesignedtointerfacewithhigh-speedmicroprocessorswithminimumgluelogic.Maximumaccessdelayfromclockriseis6.5ns(133-MHzversion).A2-biton-chipcounter

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CY7C1361C-133BGC

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CY7C1361C-133BGI

9-Mbit(256Kx36/512Kx18)Flow-ThroughSRAM

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CY7C1361C-133BGI

9-Mbit(256Kx36/512Kx18)Flow-ThroughSRAM

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CY7C1361C-133BGI

9-Mbit(256Kx36/512Kx18)Flow-ThroughSRAM

FunctionalDescription[1] TheCY7C1361C/CY7C1363Cisa3.3V,256Kx36and512Kx18SynchronousFlowthroughSRAMs,respectivelydesignedtointerfacewithhigh-speedmicroprocessorswithminimumgluelogic.Maximumaccessdelayfromclockriseis6.5ns(133-MHzversion).A2-biton-chipcounter

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CY7C1361C-133BGXC

9-Mbit(256Kx36/512Kx18)Flow-ThroughSRAM

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CY7C1361C-133BGXC

9-Mbit(256Kx36/512Kx18)Flow-ThroughSRAM

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CY7C1361C-133BGXI

9-Mbit(256Kx36/512Kx18)Flow-ThroughSRAM

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9-Mbit(256Kx36/512Kx18)Flow-ThroughSRAM

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CY7C1361C-133BZC

9-Mbit(256Kx36/512Kx18)Flow-ThroughSRAM

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CY7C1361C-133BZC

9-Mbit(256Kx36/512Kx18)Flow-ThroughSRAM

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    CY7C1361C-133AXI

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 同步,SDR

  • 存儲容量:

    9Mb(256K x 36)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    3.135V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    100-LQFP

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    100-TQFP(14x20)

  • 描述:

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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