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CY14B104NA-BA45XI

4-Mbit (512 K x 8/256 K x 16) nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導體公司

CY14B104NA-BA45XI

4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo

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CY14B104NA-BA45XI

4-Mbit (512 K ? 8/256 K ? 16) nvSRAM

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4-Mbit (512 K x 8/256 K x 16) nvSRAM 20 ns, 25 ns, and 45 ns access times

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4-Mbit (512 K ? 8/256 K ? 16) nvSRAM

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CY14B104NA-BA45XI

包裝：托盤 封裝/外殼：48-TFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA

CYP

Cypress Semiconductor Corp

CY14B104NA-BA45XIT

4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo

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CY14B104NA-BA45XIT

4-Mbit (512 K x 8/256 K x 16) nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo

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4-Mbit (512 K ? 8/256 K ? 16) nvSRAM

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4-Mbit (512 K ? 8/256 K ? 16) nvSRAM

CypressCypressSemiconductor

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CY14B104NA-BA45XIT

包裝：托盤 封裝/外殼：48-TFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA

CYP

Cypress Semiconductor Corp

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    CY14B104NA-BA45XI

  • 制造商：

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    NVSRAM

  • 技術：

    NVSRAM（非易失性 SRAM）

  • 存儲容量：

    4Mb（256K x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    45ns

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    48-TFBGA

  • 供應商器件封裝：

    48-FBGA（6x10）

  • 描述：

    IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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2022+原裝正品
FBGA-48(6x10)
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支持工廠BOM表配單 公司只做原裝正品貨
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Cypress一級分銷,原裝原盒原包裝!
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CypressSemiconductorCorp
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ICNVSRAM4MBIT45NS48TFBGA
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專做原裝正品,假一罰百!
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專業(yè)電子元器件供應鏈/QQ 350053121 /正納電子
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更多CY14B104NA-BA45XI供應商 更新時間2024-11-7 15:00:00

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