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CY14B108L-ZS25XI

8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B108L/CY14B108NisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas1024Kbytesof8bitseachor512Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY14B108L-ZS25XI

8-Mbit (1024 K ? 8/512 K ? 16) nvSRAM

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY14B108L-ZS25XI

8-Mbit (1024 K x 8/512 K x 16) nvSRAM Infinite Read, Write, and RECALL cycles

CypressCypressSemiconductor

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CY14B108L-ZS25XI

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:44-TSOP(0.400",10.16mm 寬) 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC NVSRAM 8MBIT PAR 44TSOP II

CYP

Cypress Semiconductor Corp

CY14B108L-ZS25XIT

8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B108L/CY14B108NisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas1024Kbytesof8bitseachor512Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY14B108L-ZS25XIT

8-Mbit (1024 K x 8/512 K x 16) nvSRAM Infinite Read, Write, and RECALL cycles

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賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY14B108L-ZS25XIT

8-Mbit (1024 K ? 8/512 K ? 16) nvSRAM

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY14B108L-ZS25XIT

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:44-TSOP(0.400",10.16mm 寬) 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC NVSRAM 8MBIT PAR 44TSOP II

CYP

Cypress Semiconductor Corp

CY14B108L-ZS25XC

8Mbit(1024Kx8/512Kx16)nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B108L/CY14B108NisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas1024Kbytesof8bitseachor512Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY14B108L-ZS25XCT

8Mbit(1024Kx8/512Kx16)nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B108L/CY14B108NisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas1024Kbytesof8bitseachor512Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    CY14B108L-ZS25XI

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲(chǔ)器類型:

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    NVSRAM

  • 技術(shù):

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存儲(chǔ)容量:

    8Mb(1M x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    25ns

  • 電壓 - 供電:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    44-TSOP(0.400",10.16mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    44-TSOP II

  • 描述:

    IC NVSRAM 8MBIT PAR 44TSOP II

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
CYPRESS
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更多CY14B108L-ZS25XI供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-7 15:10:00