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CJP05N60B	文件：509.45 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Power MOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU
CJPF05N60	文件：1.4045 Mbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJPF05N60	文件：1.78164 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU
CJPF05N60B	文件：1.11328 Mbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJPF05N60B	文件：2.0398 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU
CJU05N60	文件：778.1 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU
CJU05N60	文件：510.18 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJU05N60B	文件：717.72 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJU05N60B	文件：1.92842 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
DMS05N60	文件：565.1 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelDepletion-ModeMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
FMC05N60E	文件：578.55 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
FMC05N60E	文件：332.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=5.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FMI05N60E	文件：575.86 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
FMP05N60E	文件：568.93 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applica	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
FMV05N60E	文件：547.01 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applicati	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
H05N60	文件：60.77 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThisadvancedhighvoltageMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffersadrain-to-sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaspowersupl	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H05N60E	文件：60.77 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThisadvancedhighvoltageMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffersadrain-to-sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaspowersupl	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H05N60F	文件：60.77 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThisadvancedhighvoltageMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffersadrain-to-sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaspowersupl	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
MCU05N60	文件：494.92 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MCU05N60A	文件：339.84 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市芯連勝科技有限公司	CJP05N65	長(zhǎng)電	2017	TO-220-3L	380		詢(xún)價(jià)
深圳市鑫宇楊電子科技有限公司	CJP07N60	CJ	2020+	TO-220	985000	100%進(jìn)口原裝正品公司現(xiàn)貨庫(kù)存	詢(xún)價(jià)
深圳市華斯頓科技有限公司	CJP07N60	長(zhǎng)電	22+23+	TO-220-3L	24537	絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
深圳兆威電子有限公司	CJP07N60	CJ/長(zhǎng)電	22+	TO-220-3L	10981	原裝正品現(xiàn)貨,可開(kāi)13點(diǎn)稅	詢(xún)價(jià)
深圳市百域芯科技有限公司	CJP07N60	CJ/長(zhǎng)電	21+	TO-220-3L	30000	百域芯優(yōu)勢(shì) 實(shí)單必成可開(kāi)13點(diǎn)增值稅發(fā)票	詢(xún)價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	CJP07N60	CJ/長(zhǎng)電	2022+	TO-220	50000	原廠代理終端免費(fèi)提供樣品	詢(xún)價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	CJP07N60	CJ/長(zhǎng)電	23+	TO-220-3L	300000	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢(xún)價(jià)
深圳市瑞卓芯科技有限公司	CJP07N60	CJ/長(zhǎng)電	22+	TO-220-3L	15240	原裝正品	詢(xún)價(jià)
深圳市星宇佳科技有限公司	CJP07N60	CJ/長(zhǎng)電	2015	TO-220-3L	10971		詢(xún)價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	CJP07N60	CJ/長(zhǎng)電	2022+	TO-220	30000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝假一罰十	詢(xún)價(jià)

更多CJP05N60B供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-18 10:02:00

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