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CJP06N60	文件：227.22 Kbytes Page：4 Pages	Power filed Effect Transistor FEATURES ◆RobustHighVoltageTermination ◆AvalancheEnergySpecified ◆Source-to-DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoa DiscreteFastRecoveryDiode ◆DiodeisCharacterizedforUseinBridgeCircuits ◆IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
CMT06N60	文件：246.73 Kbytes Page：6 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	CHAMPChampion Microelectronic Corp. 虹冠虹冠電子工業(yè)股份有限公司	CHAMP
CMT06N60	文件：193.63 Kbytes Page：6 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyeffic	CHAMPChampion Microelectronic Corp. 虹冠虹冠電子工業(yè)股份有限公司	CHAMP
CMT06N60	文件：191.5 Kbytes Page：6 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
EMD06N60A	文件：199.56 Kbytes Page：6 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS600V RDSON(MAX.)1.55Ω ID6A UIS,100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMD06N60CS	文件：200.92 Kbytes Page：5 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS600V RDSON(MAX.)1.55Ω ID6A UIS,100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMD06N60F	文件：177.2 Kbytes Page：5 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS600V RDSON(MAX.)1.55Ω ID6A UIS,100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
FMC06N60ES	文件：332.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FMC06N60ES	文件：548.64 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機富士電機株式會社	Fuji
FMI06N60ES	文件：547.29 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機富士電機株式會社	Fuji
FMP06N60E	文件：561.49 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applica	FujiFuji Electric 富士電機富士電機株式會社	Fuji
FMP06N60ES	文件：537.45 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.7±0.5V) Highavalanchedurability Applica	FujiFuji Electric 富士電機富士電機株式會社	Fuji
FMP06N60ES	文件：305.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FMV06N60E	文件：529.48 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applica	FujiFuji Electric 富士電機富士電機株式會社	Fuji
FMV06N60ES	文件：547.53 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.7±0.5V) Highavalanchedurability Applica	FujiFuji Electric 富士電機富士電機株式會社	Fuji
FTA06N60C	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
H06N60	文件：71.89 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficient	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
IGD06N60T	文件：460.08 Kbytes Page：12 Pages	IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IGP06N60T	文件：494.78 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBT:IGBTinTRENCHSTOP??andFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IGP06N60T	文件：331.26 Kbytes Page：12 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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詳細參數(shù)

型號：
CJP06N60
功能描述：
MOSFET

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市鑫宇楊電子科技有限公司	CJP07N60	CJ	2020+	TO-220	985000	100%進口原裝正品公司現(xiàn)貨庫存	詢價
深圳市華斯頓科技有限公司	CJP07N60	長電	22+23+	TO-220-3L	24537	絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨	詢價
深圳兆威電子有限公司	CJP07N60	CJ/長電	22+	TO-220-3L	10981	原裝正品現(xiàn)貨,可開13點稅	詢價
深圳市百域芯科技有限公司	CJP07N60	CJ/長電	21+	TO-220-3L	30000	百域芯優(yōu)勢實單必成可開13點增值稅發(fā)票	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	CJP07N60	CJ/長電	2022+	TO-220	50000	原廠代理終端免費提供樣品	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	CJP07N60	CJ/長電	23+	TO-220-3L	300000	原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
深圳市瑞卓芯科技有限公司	CJP07N60	CJ/長電	22+	TO-220-3L	15240	原裝正品	詢價
深圳市星宇佳科技有限公司	CJP07N60	CJ/長電	2015	TO-220-3L	10971		詢價
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	CJP07N60	CJ/長電	2022+	TO-220	30000	進口原裝現(xiàn)貨供應,原裝假一罰十	詢價
深圳市辰德隆電子科技有限公司	CJP07N60	CJ/長電	23+	TO-220-3L	6000	長電旗艦店有售樣品.3千種型號.3億只現(xiàn)貨	詢價

更多CJP06N60供應商更新時間2024-10-24 9:00:00

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