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CG2H80015D

15 W, 8.0 GHz, GaN HEMT Die

Description Wolfspeed’sCG2H80015Disagalliumnitride(GaN)HighElectron MobilityTransistor(HEMT).GaNhassuperiorpropertiescompared tosiliconorgalliumarsenide,includinghigherbreakdownvoltage, highersaturatedelectrondriftvelocity,andhigherthermal conductivity.GaNHEMTs

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

CG2H80015D

15 W, 8.0 GHz, GaN HEMT Die

CreeCree, Inc

科銳

CG2H80015D-GP4

包裝：散裝 封裝/外殼：模具 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：RF DISCRETE

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

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更多CG2H80015D供應(yīng)商 更新時間2021-9-14 10:50:00

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