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CG2H80015D分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

CG2H80015D
廠商型號

CG2H80015D
參數(shù)屬性

CG2H80015D 封裝/外殼為模具；包裝為散裝；類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產品描述：RF DISCRETE
功能描述

15 W, 8.0 GHz, GaN HEMT Die
RF DISCRETE
文件大小

1.3926 Mbytes
頁面數(shù)量

9 頁
生產廠商 WOLFSPEED, INC.
企業(yè)簡稱

WOLFSPEED

中文名稱

WOLFSPEED, INC.官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2024-12-28 11:11:00

CG2H80015D規(guī)格書詳情

CG2H80015D屬于分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產的CG2H80015D晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

Description

Wolfspeed’s CG2H80015D is a gallium nitride (GaN) High Electron

Mobility Transistor (HEMT). GaN has superior properties compared

to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage,

higher saturated electron drift velocity, and higher thermal

conductivity. GaN HEMTs offer greater power density and wider

bandwidths compared to Si and GaAs transistors.

Applications

? 2-Way Private Radio

? Broadband Amplifiers

? Cellular infrastructure

? Test Instrumentation

? Class A, AB, Linear amplifiers suitable for OFDM,

W-CDMA, EDGE, CDMA waveforms

Features

? 17 dB Typical Small Signal Gain at 4 GHz

? 12 dB Typical Small Signal Gain at 8 GHz

? 15 W Typical PSAT

? 28 V Operation

? High Breakdown Voltage

? High Temperature Operation

? Up to 8 GHz Operation

? High Efficiency

產品屬性

更多
  • 產品編號：

    CG2H80015D-GP4

  • 制造商：

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 系列：

    GaN

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    HEMT

  • 頻率：

    8GHz

  • 增益：

    17dB

  • 功率 - 輸出：

    15W

  • 封裝/外殼：

    模具

  • 供應商器件封裝：

    模具

  • 描述：

    RF DISCRETE

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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