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CEZ100R19

Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)

FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. 100V,10A,RDS(ON)=100mW@VGS=10V. -100V,-6A,RDS(ON)=250mW@VGS=-10V. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

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更多CEZ100R19供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-18 9:30:00

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