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CEZ12R10

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V,55A,RDS(ON)=12mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

PAL12R10

ProgammableArrayLogicSeries24(PALSeries24)

NSCNational Semiconductor (TI)

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PAL12R10A

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更多CEZ12R10供應(yīng)商 更新時間2024-11-18 11:06:00