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CEC16N10L中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

CEC16N10L
廠商型號(hào)

CEC16N10L

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

807.31 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 CET-MOS Technology Corp.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

CET-MOS華瑞

中文名稱

華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-4-9 19:06:00

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CEC16N10L規(guī)格書(shū)詳情

FEATURES

100V, 11A, RDS(ON) = 120mW @VGS = 10V.

RDS(ON) = 135mW @VGS = 5V.

Super High dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

RoHS compliant.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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