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BUV61中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BUV61
廠商型號

BUV61

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

文件大小

193.64 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-14 19:10:00

晶體管資料

  • 型號:

    BUV61

  • 別名:

    BUV61三極管、BUV61晶體管、BUV61晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    開關(guān)管 (S)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    300V

  • 最大電流允許值:

    50A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

    BUR51,BUR52,

  • 最大耗散功率:

    250W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    E-44

  • vtest:

    300

  • htest:

    999900

  • atest:

    50

  • wtest:

    250

BUV61規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? High Current Capability

? Fully characterized at 125℃

? Fast switching speed

? Motor control

APPLICATIONS

? Intented for use in high frequency and efficiency

converters such us motor controllers and industrial

equipment.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    BUV61

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT Hi Pwr NPN Silicon Transistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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