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CDC5806	文件：340.82 Kbytes Page：13 Pages	THREEPLLsBASEDCLOCKGENERATOR	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
CDC5806	文件：112.86 Kbytes Page：8 Pages	THREEPLLsBASEDCLOCKGENERATORFORDIGITALTVAPPLICATIONS	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
CDC5806PW	文件：340.82 Kbytes Page：13 Pages	THREEPLLsBASEDCLOCKGENERATOR	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
CDC5806PWR	文件：340.82 Kbytes Page：13 Pages	THREEPLLsBASEDCLOCKGENERATOR	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
DM5806	文件：270.47 Kbytes Page：64 Pages	DM5806DATAMODULEDIGITALI/OBOARD	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
DW5806	文件：5.88919 Mbytes Page：24 Pages	CONTENTS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
G5806	文件：73.44 Kbytes Page：1 Pages	SingleCellLi-IonBatteryLinearCharger	GMTGlobal Mixed-mode Technology Inc 致新科技	GMT
HM5806	文件：889.57 Kbytes Page：7 Pages	mobilepowersolutionIC	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司	HMSEMI
HP5806	文件：725.28 Kbytes Page：25 Pages	PRECISIONBAROMETERANDALTIMETERSENSOR	HOPEHOPE Microelectronics CO., Ltd. 華普微電子深圳市華普微電子股份有限公司	HOPE
IRF5806	文件：218.25 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-20V) Description TheseP-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ●Ultra	IRF International Rectifier	IRF
IRF5806PBF	文件：203.83 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRF5806TRPBF	文件：203.83 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
LV5806MX	文件：84.24 Kbytes Page：5 Pages	Step-downSwitchingRegulator	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機株式會社	SANYO
NTD5806N	文件：84.83 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NTD5806N	文件：140.45 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET40V,33A,SingleN??hannel,DPAK/IPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NTD5806N	文件：1.0293 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導體有限公司	DOINGTER
NTD5806N	文件：299.42 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=33A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=19mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
NTD5806NG	文件：140.45 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET40V,33A,SingleN??hannel,DPAK/IPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NTD5806NG	文件：84.83 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NTE5806	文件：59.17 Kbytes Page：3 Pages	NTE5800thruNTE5809AxialLeadStandardRecoverySiliconRectifiers,3Amp,DO27 Description: TheNTE5800throughNTE5809siliconrectifiersaredesignedforuseinpowersuppliesandotherapplicationshavingneedofadevicewiththefollowingfeatures: ●HighCurrenttoSmallSize ●HighSurgeCurrentCapability ●LowForwardVoltageDrop	NTE NTE Electronics	NTE

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詳細參數

型號：
BU-COL5806
制造商：
Cooper Bussmann
功能描述：
COLLINEAR 6"(155MM) LONG, N-TYPE FEMALE - Bulk
制造商：
COOPER INDUSTRIES
功能描述：
Collinear 6(155mm) long, N-type Female
制造商：
COOPER BUSSMANN
功能描述：
COLLINEAR 6(155MM) LONG, N-TYPE FEMALE

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多BU-COL5806供應商更新時間2024-12-31 10:18:00

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