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BR80N06

N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司

BR80N06

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

BRB80N06

N-CHANNELMOSFETinaTO-263PlasticPackage

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司

BRD80N06

N-CHANNELMOSFETinaTO-252PlasticPackage

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司

FDP80N06

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=33A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.09mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FDP80N06

N-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

HM80N06K

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司

HM80N06KA

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司

HRD80N06K

SuperiorAvalancheRuggedTechnology

SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

HRLD80N06K

OriginativeNewDesign

SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

HRLF80N06K

100AvalancheTested

SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

HRLP80N06K

OriginativeNewDesign

SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

HRP80N06K

60VN-ChannelTrenchMOSFET

SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

JMTK80N06A

JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd.

捷捷微江蘇捷捷微電子股份有限公司

PDF上傳者:深圳市溢航科技有限公司

LZP80N06P

N-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

MCAC80N06Y

N-ChannelPowerMOSFET

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

MCU80N06

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

ME80N06T

N-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

NP80N06CLC

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ·Channeltemperature175degreerated ·Superlowon-stateresistance RDS(on)1=15mWMAX.(VGS=10V,ID=40

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP80N06CLD

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=13mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
藍(lán)箭
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TO-220
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藍(lán)箭
23+
TO-220
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winsemi
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2022+
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BLUE ROCKET(藍(lán)箭)
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TO-220
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更多BR80N06供應(yīng)商 更新時間2024-11-5 14:30:00