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HM80N06K	文件：570.21 Kbytes Page：7 Pages	Marking：HM80N06K；Package：TO-252-2L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HM80N06KA	文件：708.19 Kbytes Page：7 Pages	Marking：HM80N06KA；Package：TO-252-2L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HRD80N06K	文件：1.01137 Mbytes Page：9 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HRLD80N06K	文件：265.96 Kbytes Page：8 Pages	OriginativeNewDesign	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HRLF80N06K	文件：190.53 Kbytes Page：7 Pages	100AvalancheTested	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HRLP80N06K	文件：898.21 Kbytes Page：7 Pages	OriginativeNewDesign	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HRP80N06K	文件：980.87 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelTrenchMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
JMTK80N06A	文件：830.897 Kbytes Page：7 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江蘇捷捷微電子股份有限公司 PDF上傳者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
LZP80N06P	文件：995.13 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
MCAC80N06Y	文件：806.15 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MCU80N06	文件：421.15 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
ME80N06T	文件：995.97 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
NP80N06CLC	文件：235.97 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ·Channeltemperature175degreerated ·Superlowon-stateresistance RDS(on)1=15mWMAX.(VGS=10V,ID=40	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N06CLD	文件：171.96 Kbytes Page：6 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ·ChannelTemperature175degreerated ·SuperLowOn-stateResistance RDS(on)1=13mW(MAX.)(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=17mW(MAX.)(VGS=5V,ID=40A) ·LowCiss:Ciss=2360pF(TYP.) ·Built-inGateprotectiond	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N06CLD	文件：334.13 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=13mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NP80N06DLC	文件：235.97 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ·Channeltemperature175degreerated ·Superlowon-stateresistance RDS(on)1=15mWMAX.(VGS=10V,ID=40	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N06DLD	文件：243.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=13mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NP80N06DLD	文件：171.96 Kbytes Page：6 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ·ChannelTemperature175degreerated ·SuperLowOn-stateResistance RDS(on)1=13mW(MAX.)(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=17mW(MAX.)(VGS=5V,ID=40A) ·LowCiss:Ciss=2360pF(TYP.) ·Built-inGateprotectiond	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N06ELC	文件：235.97 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ·Channeltemperature175degreerated ·Superlowon-stateresistance RDS(on)1=15mWMAX.(VGS=10V,ID=40	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N06ELD	文件：171.96 Kbytes Page：6 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ·ChannelTemperature175degreerated ·SuperLowOn-stateResistance RDS(on)1=13mW(MAX.)(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=17mW(MAX.)(VGS=5V,ID=40A) ·LowCiss:Ciss=2360pF(TYP.) ·Built-inGateprotectiond	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS

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貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	HM80N06K	HMSEMI	23+	TO252	62388	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種	詢價(jià)
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更多HM80N06K供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-18 11:10:00

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