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BLW76中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BLW76
廠商型號

BLW76

功能描述

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

文件大小

80.98 Kbytes

頁面數(shù)量

1

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-30 23:00:00

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BLW76規(guī)格書詳情

DESCRIPTION:

The ASI BLW76 is Designed for use in class-AB or class-B operated high power transmitters in the H.F. and V.H.F bands and, as a Linear amplifier in the H.F. band.

FEATURES:

? PG = 18 dB min. at 75 W/30 MHz

? IMD3 = -30 dBc max. at 75 W (PEP)

? Omnigold? Metalization System

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    BLW76

  • 功能描述:

    射頻雙極電源晶體管 RF Bipolar Trans

  • RoHS:

  • 制造商:

    M/A-COM Technology Solutions

  • 配置:

    Single 直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    40

  • 最大工作頻率:

    30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    25 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    4 V

  • 集電極連續(xù)電流:

    20 A

  • 功率耗散:

    250 W

  • 封裝/箱體:

    Case 211-11

  • 封裝:

    Tray

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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