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BLW50F中文資料ASI數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

BLW50F
廠商型號(hào)

BLW50F

功能描述

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

文件大小

23.18 Kbytes

頁面數(shù)量

1

生產(chǎn)廠商 Advanced Semiconductor
企業(yè)簡稱

ASI

中文名稱

Advanced Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2024-12-27 20:00:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    BLW50F

  • 別名:

    BLW50F三極管、BLW50F晶體管、BLW50F晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    調(diào)幅 (AM)_SSB_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    110V

  • 最大電流允許值:

    2.5A

  • 最大工作頻率:

    28MHZ

  • 引腳數(shù):

    4

  • 可代換的型號(hào):

  • 最大耗散功率:

    17W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    G-266

  • vtest:

    110

  • htest:

    28000000000

  • atest:

    2.5

  • wtest:

    17

BLW50F規(guī)格書詳情

DESCRIPTION:

The ASI BLW50F is Designed for use in transmitters in the HF and VHF band applications up tp 30 MHz.

FEATURES:

? PG = 14 dB min. at 75 W/30 MHz

? IMD3 = 50 dBc max. at 75 W(PEP)

? Omnigold? Metalization System

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    BLW50F

  • 功能描述:

    射頻雙極電源晶體管 RF Transistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    M/A-COM Technology Solutions

  • 配置:

    Single 直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    40

  • 最大工作頻率:

    30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    25 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    4 V

  • 集電極連續(xù)電流:

    20 A

  • 功率耗散:

    250 W

  • 封裝/箱體:

    Case 211-11

  • 封裝:

    Tray

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NXP/恩智浦
23+
NA/
3256
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票
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NXP
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BGA QFP
13500
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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