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BLS6G2731S-120

LDMOS S-band radar power transistor

Generaldescription 120WLDMOSpowertransistorintendedforradarapplicationsinthe2.7GHzto3.1GHzrange. Features ■TypicalpulsedRFperformanceatafrequencyof2.7GHzto3.1GHz,asupplyvoltageof32V,anIDqof100mA,atpof100μswithδof10: ?Outputpower=120W

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

BLS6G2731S-120

RF Manual 16th edition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

BLS6G2731S-120

LDMOS S-band radar power transistor

Generaldescription 120WLDMOSpowertransistorintendedforradarapplicationsinthe2.7GHzto3.1GHzrange. Features ?TypicalpulsedRFperformanceatafrequencyof2.7GHzto3.1GHz,asupplyvoltageof32V,anIDqof100mA,atpof100?swith?of10: ?Outputpower=120W ?Powe

AmpleonAmpleon USA Inc.

安譜隆

BLS6G2731S-120,112

包裝：托盤 封裝/外殼：SOT-502B 類別：分立半導體產品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502B

AmpleonAmpleon USA Inc.

安譜隆

詳細參數

  • 型號：

    BLS6G2731S-120

  • 功能描述：

    射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Freescale Semiconductor

  • 配置：

    Single

  • 頻率：

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益：

    27 dB

  • 輸出功率：

    100 W

  • 封裝/箱體：

    NI-780-4

  • 封裝：

    Tray

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更多BLS6G2731S-120供應商 更新時間2024-12-26 16:20:00

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