BLF888AS分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
BLF888AS |
參數(shù)屬性 | BLF888AS 封裝/外殼為SOT-539B;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539B |
功能描述 | UHF power LDMOS transistor |
封裝外殼 | SOT-539B |
文件大小 |
1.53792 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
17 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Ampleon USA Inc. |
企業(yè)簡稱 |
Ampleon【安譜隆】 |
中文名稱 | 安譜隆官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-4-11 16:48:00 |
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BLF888AS屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLF888AS晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
General description
A 600 W LDMOS RF power transistor for broadcast transmitter applications and industrial
applications. The excellent ruggedness of this device makes it ideal for digital and analog
transmitter applications.
Features and benefits
? Excellent ruggedness (VSWR ? 40 : 1 through all phases)
? Optimum thermal behavior and reliability, Rth(j-c) = 0.15 K/W
? Suitable for CW UHF and ISM applications
? High power gain
? High efficiency
? Designed for broadband operation (470 MHz to 860 MHz)
? Internal input matching for high gain and optimum broadband operation
? Excellent reliability
? Easy power control
? Compliant to Restriction of Hazardous Substances (RoHS) Directive 2002/95/EC
Applications
? Communication transmitter applications in the UHF band
? Industrial applications in the UHF band
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
BLF888AS,112
- 制造商:
Ampleon USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
LDMOS(雙),共源
- 頻率:
860MHz
- 增益:
21dB
- 功率 - 輸出:
250W
- 封裝/外殼:
SOT-539B
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT539B
- 描述:
RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539B
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
24+ |
SMD |
1680 |
NXP專營品牌進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
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NXP |
NA |
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AMPLEON |
2021+ |
SMD |
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Ampleon USA Inc. |
22+ |
SOT539B |
9000 |
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NXP |
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微波射頻管 |
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AMPLEON |
24+ |
SMD |
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原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
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