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BLF6G10LS-200分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料
廠商型號(hào) |
BLF6G10LS-200 |
參數(shù)屬性 | BLF6G10LS-200 封裝/外殼為SOT-502B;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B |
功能描述 | Power LDMOS transistor |
文件大小 |
99.22 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
11 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
nxp【恩智浦】 |
中文名稱 | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-1 23:00:00 |
BLF6G10LS-200規(guī)格書(shū)詳情
General description
200 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 800 MHz to 1000 MHz.
Features
■ Typical 2-carrier W-CDMA performance at frequencies of 869 MHz and 894 MHz, a supply voltage of 28 V and an IDq of 1400 mA:
◆ Average output power = 40 W
◆ Power gain = 20 dB
◆ Efficiency = 27
◆ ACPR = ?41 dBc
■ Easy power control
■ Integrated ESD protection
■ Excellent ruggedness
■ High efficiency
■ Excellent thermal stability
■ Designed for broadband operation (800 MHz to 1000 MHz)
■ Internally matched for ease of use
■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)
Applications
■ RF power amplifiers for GSM, GSM EDGE, W-CDMA and CDMA base stations and multicarrier applications in the 800 MHz to 1000 MHz frequency range.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
BLF6G10LS-200RN,11
- 制造商:
Ampleon USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
871.5MHz ~ 891.5MHz
- 增益:
20dB
- 額定電流(安培):
49A
- 功率 - 輸出:
40W
- 封裝/外殼:
SOT-502B
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT502B
- 描述:
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP(恩智浦) |
23+ |
NA/ |
7350 |
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詢價(jià) | ||
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NXP/恩智浦 |
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NXP(恩智浦) |
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