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BLF6G10-160RN分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLF6G10-160RN
廠商型號

BLF6G10-160RN

參數屬性

BLF6G10-160RN 封裝/外殼為SOT-502A;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產品描述:RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A

功能描述

Power LDMOS transistor

文件大小

162.86 Kbytes

頁面數量

11

生產廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導體公司官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-1 23:00:00

BLF6G10-160RN規(guī)格書詳情

General description

160 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 1000 MHz.

Features

Typical 2-carrier W-CDMA performance at frequencies of 920 MHz and 960 MHz, a supply voltage of 32 V and an IDq of 1200 mA:

Average output power = 32 W

Power gain = 22.5 dB

Efficiency = 27

ACPR = ?41 dBc

Easy power control

Integrated ESD protection

Excellent ruggedness

High efficiency

Excellent thermal stability

Designed for broadband operation (700 MHz to 1000 MHz)

Internally matched for ease of use

Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding restriction of hazardous substances (RoHS)

產品屬性

  • 產品編號:

    BLF6G10-160RN,112

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    922.5MHz ~ 957.5MHz

  • 增益:

    22.5dB

  • 額定電流(安培):

    39A

  • 功率 - 輸出:

    32W

  • 封裝/外殼:

    SOT-502A

  • 供應商器件封裝:

    SOT502A

  • 描述:

    RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A

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