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BLF6G10LS-160RN分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
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廠商型號 |
BLF6G10LS-160RN |
參數(shù)屬性 | BLF6G10LS-160RN 封裝/外殼為SOT-502B;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B |
功能描述 | RF Manual 16th edition |
封裝外殼 | SOT-502B |
文件大小 |
9.37507 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
130 頁 |
生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
企業(yè)簡稱 |
nxp【恩智浦】 |
中文名稱 | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-2-21 19:02:00 |
人工找貨 | BLF6G10LS-160RN價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
BLF6G10LS-160RN規(guī)格書詳情
General description
10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.
Features and benefits
■ High efficiency
■ Excellent ruggedness
■ Designed for broadband operation
■ Excellent thermal stability
■ High power gain
■ Integrated ESD protection
■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)
Applications
■ CDMA
■ W-CDMA
■ GSM EDGE
■ MC-GSM
■ LTE
■ WiMAX
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
BLF6G10LS-160RN
- 制造商:
Ampleon USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
922.5MHz ~ 957.5MHz
- 增益:
22.5dB
- 額定電流(安培):
39A
- 功率 - 輸出:
32W
- 封裝/外殼:
SOT-502B
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT502B
- 描述:
RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
0927+ |
1 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | |||
NXP |
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5500 |
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詢價(jià) | |||
NXP |
23+ |
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7300 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
NXP |
23+ |
28000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | |||
NXP |
24+ |
SMD |
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NXP |
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