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首頁(yè)>BLF6G10-135RN,112>芯片詳情
BLF6G10-135RN 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 NXP/恩智浦
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書(shū)下載
產(chǎn)品參考屬性
- 類(lèi)型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
BLF6G10-135RN,112
- 制造商:
Ampleon USA Inc.
- 類(lèi)別:
- 包裝:
托盤(pán)
- 晶體管類(lèi)型:
LDMOS
- 頻率:
871.5MHz ~ 891.5MHz
- 增益:
21dB
- 額定電流(安培):
32A
- 功率 - 輸出:
26.5W
- 封裝/外殼:
SOT-502A
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT502A
- 描述:
RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
謝云
- 手機(jī):
19924902278
- 詢(xún)價(jià):
- 電話(huà):
0755-83204142
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)A棟17e
相近型號(hào)
- BLF6G10-160RN112
- BLF6G05LS-200RN
- BLF6G10200RN
- BLF6F38LS-50
- BLF6G10-200RN
- BLF6C22-45
- BLF6G10-200RN,112
- BLF661
- BLF6G10-200RN112
- BLF6G10-235RN
- BLF647PSJ
- BLF6G1045
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- BLF647PS
- BLF6G10-45,135
- BLF647P-112
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- BLF6G10-45135
- BLF647P,112
- BLF647P
- BLF6G10L-200BRN
- BLF6G10L-200BRN:11
- BLF647A
- BLF6G10L-260BM
- BLF647112
- BLF6G10L-260PBM
- BLF647/B
- BLF6G10L-260PBM,11
- BLF647,112
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- BLF6G10L-260PBM:11
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- BLF645IC
- BLF6G10L-260PBM11
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- BLF6G10L-260PBN
- BLF645A
- BLF6G10L-260PRN
- BLF645112
- BLF6G10L-260PRN,11
- BLF645.112
- BLF6G10L260PRN:11
- BLF645,112