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BIDW50N65T 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

BIDW50N65T參考圖片

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  • 廠家型號(hào)：

    BIDW50N65T

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

  • 庫存數(shù)量：

    51000

  • 產(chǎn)品封裝：

    N/A

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-18 11:06:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：BIDW50N65T

一級(jí)代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇

BIDW50N65T是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Bourns Inc.生產(chǎn)封裝N/A/TO-247-3的BIDW50N65T晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    BIDW50N65T

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    BOURNS【伯恩斯】詳情

  • 廠商全稱：

    Bourns Electronic Solutions

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    10 頁

  • 文件大?。?/span>

    1329.99 kb

  • 資料說明：

    BIDW50N65T Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BIDW50N65T

  • 制造商：

    Bourns Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.2V @ 15V，50A

  • 開關(guān)能量：

    3mJ（開）， 1.1mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    37ns/125ns

  • 測試條件：

    400V，50A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247

  • 描述：

    IGBT 650V 50A TRENCH TO-247-3L

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    董先生 李先生

  • 手機(jī)：

    19924492152

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82542579 19924492152

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振中路華強(qiáng)廣場C座26J

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