BIDW50N65T_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-Bourns Inc.

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原廠料號:BIDW50N65T品牌:Bourns Inc.

資料說明:IGBT 650V 50A TRENCH TO-247-3L

BIDW50N65T是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Bourns Inc.生產(chǎn)封裝TO-247-3的BIDW50N65T晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號:

    bidw50n65t

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  • 資料說明:

    IGBT 650V 50A TRENCH TO-247-3L

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    BIDW50N65T

  • 制造商:

    Bourns Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,50A

  • 開關(guān)能量:

    3mJ(開), 1.1mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    37ns/125ns

  • 測試條件:

    400V,50A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247

  • 描述:

    IGBT 650V 50A TRENCH TO-247-3L

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