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NTBG015N065SC1

Marking：BG015N065SC1；Package：D2PAK-7L；Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 12 mohm, 650V, M2, D2PAK-7L

Features ?Typ.RDS(on)=12m@VGS=18V Typ.RDS(on)=15m@VGS=15V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=283nC) ?LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=424pF) ?100AvalancheTested ?TJ=175°C ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(o

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更多BG015N065SC1供應商 更新時間2025-4-10 15:00:00

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