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BFY181	文件：121.95 Kbytes Page：5 Pages	HiRel NPN Silicon RF Transistor (HiRel Discrete and Microwave Semiconductor) Features ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,highgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=8GHz,F=2.2dBat2GHz ?eesaqualified ?ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BFY181	文件：29.15 Kbytes Page：5 Pages	HiRel NPN Silicon RF Transistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollector currentsfrom0,5mAto12mA. ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=8GHz F=2.2dBat2GHz ?eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailS	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY181	文件：148.75 Kbytes Page：4 Pages	HiRel NPN Silicon RF Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY181ES	文件：29.15 Kbytes Page：5 Pages	HiRel NPN Silicon RF Transistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollector currentsfrom0,5mAto12mA. ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=8GHz F=2.2dBat2GHz ?eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailS	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY181H	文件：29.15 Kbytes Page：5 Pages	HiRel NPN Silicon RF Transistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollector currentsfrom0,5mAto12mA. ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=8GHz F=2.2dBat2GHz ?eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailS	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY181P	文件：29.15 Kbytes Page：5 Pages	HiRel NPN Silicon RF Transistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollector currentsfrom0,5mAto12mA. ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=8GHz F=2.2dBat2GHz ?eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailS	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY181S	文件：29.15 Kbytes Page：5 Pages	HiRel NPN Silicon RF Transistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollector currentsfrom0,5mAto12mA. ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=8GHz F=2.2dBat2GHz ?eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailS	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY181_11	文件：148.75 Kbytes Page：4 Pages	HiRel NPN Silicon RF Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BH181	文件：126.61 Kbytes Page：1 Pages	BATTERYHOLDERS&SNAPSAA,AAA,C,D&COINCELL	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亞當(dāng)科技亞當(dāng)科技股份有限公司	ADAM-TECH
BSM181	文件：199.83 Kbytes Page：7 Pages	SIMOPACModule(PowermoduleSingleswitchNchannelEnhancementmode) VDS=100V ID=200A RDS(on)=8.5m? ●Powermodule ●Singleswitch ●Nchannel ●Enhancementmode ●Packagewithinsulatedmetalbaseplate ●Packageoutline/Circuitdiagram:11)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BSM181F	文件：226.26 Kbytes Page：7 Pages	SIMOPACModule(PowermoduleSingleswitchFREDFETNchannelEnhancementmode) VDS=800V ID=34A RDS(on)=0.32? ●Powermodule ●Singleswitch ●FREDFET ●Nchannel ●Enhancementmode ●Packagewithinsulatedmetalbaseplate ●Packageoutline/Circuitdiagram:11)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BSM181R	文件：199.83 Kbytes Page：7 Pages	SIMOPACModule(PowermoduleSingleswitchNchannelEnhancementmode) VDS=100V ID=200A RDS(on)=8.5m? ●Powermodule ●Singleswitch ●Nchannel ●Enhancementmode ●Packagewithinsulatedmetalbaseplate ●Packageoutline/Circuitdiagram:11)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
C-181-K	文件：192.91 Kbytes Page：1 Pages	CoilsandChokesforgeneraluse	PREMOPREMO CORPORATION S.L 普萊默	PREMO
CA181	文件：374.36 Kbytes Page：2 Pages	CascadableAmplifier10to250MHz	MACOM Tyco Electronics	MACOM
CA181	文件：1.33235 Mbytes Page：2 Pages	CascadableAmplifier10to250MHz Description TheA181RFamplifierisadiscretehybriddesign,whichusesthinfilmmanufacturingprocessesforaccurateperformanceandhighreliability. Thissinglestagebipolartransistorfeedbackamplifierdesigndisplaysimpressiveperformanceoverabroadbandfrequencyrange.AnactiveDC	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
CA181	文件：636.23 Kbytes Page：3 Pages	CascadableAmplifier10to250MHz	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
CCD181	文件：470.24 Kbytes Page：11 Pages	Variable-ElementHigh-SpeedLinearImageSensor	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
CCD181DC	文件：470.24 Kbytes Page：11 Pages	Variable-ElementHigh-SpeedLinearImageSensor	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
CFPX-181	文件：122.4 Kbytes Page：2 Pages	QuartzCrystalSpecification	IQD IQD Frequency Products Ltd	IQD
CGY181	文件：138 Kbytes Page：14 Pages	GaAsMMIC(PoweramplifierforPCN/PCSapplicationsFullyintegrated2stageamplifier) GaAsMMIC PoweramplifierforPCN/PCSapplications Fullyintegrated2stageamplifier Operatingvoltagerange:2.7to6V Overallpoweraddedefficiency35 *Inputmatchedto50?,simpleoutputmatch	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
BFY181
制造商：
INFINEON
制造商全稱：
Infineon Technologies AG
功能描述：
HiRel NPN Silicon RF Transistor

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市永貝爾科技有限公司	BFY181	INFINEON	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	BFY181SZZZA1	INFINEON	22+	CG-UX-4	8000	終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單	詢價(jià)
深圳市川藍(lán)電子科技有限公司	BFY181(P)	INFINEON	23+	--	14253	原包裝原標(biāo)現(xiàn)貨,假一罰十,	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	BFY181SZZZA1	INFINEON	23+	CG-UX-4	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	BFY181SZZZA1	INFINEON	23+	CG-UX-4	7000		詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	BFY19	NO	24+		12		詢價(jià)
深圳市豪邁興電子有限公司	BFY19	MOT/ST/PH	2339+	CAN3	13523	公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢(shì)庫(kù)存!	詢價(jià)

更多BFY181供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-4 9:02:00

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