欧美日韩亚洲精品综合,高清无码免费视频

首頁(yè) >BFY640>規(guī)格書(shū)列表

零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
BFY640	文件：136.06 Kbytes Page：3 Pages	HiRel NPN Silicon Germanium RF Transistor HiRelNPNSiliconGermaniumRFTransistor ●HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ●HighgainlownoiseRFtransistor ●Highmaximumstablegain:Gms24dBat1.8GHz ●NoisefigureF=0.8dBat1.8GHz NoisefigureF=1.1dBat6GHz ●Hermeticallysealedmicrowavepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY640B	文件：136.06 Kbytes Page：3 Pages	HiRel NPN Silicon Germanium RF Transistor HiRelNPNSiliconGermaniumRFTransistor ●HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ●HighgainlownoiseRFtransistor ●Highmaximumstablegain:Gms24dBat1.8GHz ●NoisefigureF=0.8dBat1.8GHz NoisefigureF=1.1dBat6GHz ●Hermeticallysealedmicrowavepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BLV640	文件：438.86 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET	BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海貝嶺上海貝嶺股份有限公司	Belling
BRD640	文件：1.18135 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-252PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
BRUS640	文件：58.03 Kbytes Page：2 Pages	ULTRA-FASTRECOVERY8AMPERESSINGLE-PHASE,FULL-WAVEBRIDGESHEATSINKCHASSISP.C.BOARDMOUNTING	edi Electronic devices inc.	edi
C640	文件：501.68 Kbytes Page：1 Pages	500WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features ?SingleOutput ?3Ux42TEx166.5mm ?Weight:3.5kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
C640	文件：5.29445 Mbytes Page：66 Pages	AluminumElectrolyticCapacitors	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
CDBD640-G	文件：94.81 Kbytes Page：4 Pages	ChipSchottkyBarrierRectifier	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBD640-HF	文件：485.62 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierRectifiers Features -Metalsiliconjunction,majorcarrierconduction. -6Atotal(3Aperdiodeleg). -Guardingforovervoltageprotection. -Lowpowerloss,highefficiency. -Excellentpowerdissipationoffersbetterreverse leakagecurrentandthermalresistance. -LowProfilesurfacemountappl	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CEBF640	文件：402.54 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEBF640	文件：507.74 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263&TO-220Ffull-pakforthroughhole.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEBF640	文件：627.43 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263&TO-220Ffull-pakforthroughhole. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEDF640	文件：505.8 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■200V,15A,RDS(ON)=0.15Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-251&TO-252package. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEDF640	文件：571.12 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 200V,15A,RDS(ON)=0.15W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEFF640	文件：464.18 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263&TO-220Ffull-pakforthroughhole.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEFF640	文件：402.54 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEFF640	文件：1.14058 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
CEFF640	文件：627.43 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263&TO-220Ffull-pakforthroughhole. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEPF640	文件：507.74 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263&TO-220Ffull-pakforthroughhole.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEPF640	文件：1.94346 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER

12 3 >>>

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
BFY640
制造商：
INFINEON
制造商全稱(chēng)：
Infineon Technologies AG
功能描述：
HiRel NPN Silicon Germanium RF Transistor

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	BFY64004ESZZZA1	INFINEON	22+	16+	8000	終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單	詢(xún)價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	BFY640SAMZZZA1	INFINEON	23+	16+	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	BFY640SAMZZZA1	INFINEON	23+	16+	7000		詢(xún)價(jià)
深圳市豪邁興電子有限公司	BFY65	MOT/ST/PH	2339+	CAN3	21322	公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢(shì)庫(kù)存!	詢(xún)價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	BFY65	MOT/PHI	24+	CAN	9500	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢(xún)價(jià)
深圳市億智騰科技有限公司	BFY65	PHILIPS	24+	CAN	6430	原裝現(xiàn)貨/歡迎來(lái)電咨詢(xún)	詢(xún)價(jià)
深圳市川藍(lán)電子科技有限公司	BFY650B-12(ES)	INFINEON	23+	--	14253	原包裝原標(biāo)現(xiàn)貨,假一罰十,	詢(xún)價(jià)
深圳市昊創(chuàng)電子有限公司	BFY66	MOTOROLA/摩托羅拉	專(zhuān)業(yè)鐵帽		500	原裝鐵帽專(zhuān)營(yíng),代理渠道量大可訂貨	詢(xún)價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	BFY66	MOT/PHI	專(zhuān)業(yè)鐵帽	CAN	67500	鐵帽原裝主營(yíng)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票	詢(xún)價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	BFY66	MOT/PH/ST/SS	2023+	CAN4	50000	原裝現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)

更多BFY640供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-18 14:00:00

詳細(xì)參數(shù)

相關(guān)規(guī)格書(shū)

相關(guān)庫(kù)存