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BTS730

PWMPowerUnit

PWMPowerUnit Thedeviceallowscontinuouspowercontrolforlamps,LEDsorinductiveloads. ●Highsideswitch(Bootstrap) ●Overtemperaturprotection ●Shortcircuit/overloadprotectionthroughpulsewidthreductionandoverloadshutdown ●Loaddumpprotection ●Undervoltageandovervolta

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BTS730

SmartHigh-SidePowerSwitch

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

CEB730G

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES TypeVDSSRDS(ON)ID@VGS CEP730G400V1Ω5.5A10V CEB730G400V1Ω5.5A10V CEF730G400V1Ω5.5A10V ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeprod

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEB730G

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Lead-freeplating.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CED730G

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CED730G

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 400V,5A,RDS(ON)=1W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Lead-freeplating.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEF730G

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES TypeVDSSRDS(ON)ID@VGS CEP730G400V1Ω5.5A10V CEB730G400V1Ω5.5A10V CEF730G400V1Ω5.5A10V ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeprod

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEF730G

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Lead-freeplating.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEP730G

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES TypeVDSSRDS(ON)ID@VGS CEP730G400V1Ω5.5A10V CEB730G400V1Ω5.5A10V CEF730G400V1Ω5.5A10V ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeprod

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEP730G

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Lead-freeplating.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BFU730LXZ

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    3V

  • 頻率 - 躍遷：

    53GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    0.75dB @ 6GHz

  • 增益：

    15.8dB

  • 功率 - 最大值：

    160mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    205 @ 2mA，3V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    30mA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    3-XFDFN

  • 供應商器件封裝：

    DFN1006C-3

  • 描述：

    RF TRANS NPN 3V 53GHZ 3DFN1006

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多BFU730LXZ供應商 更新時間2025-4-27 23:00:00

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