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BFU730LX分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFU730LX
廠商型號

BFU730LX
參數(shù)屬性

BFU730LX 封裝/外殼為3-XFDFN；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 3V 53GHZ 3DFN1006
功能描述

RF Manual 16th edition
封裝外殼

3-XFDFN
文件大小

9.37507 Mbytes
頁面數(shù)量

130 頁
生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp【恩智浦】

中文名稱

恩智浦半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-10 17:05:00
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BFU730LX規(guī)格書詳情

General description

10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.

Features and benefits

■ High efficiency

■ Excellent ruggedness

■ Designed for broadband operation

■ Excellent thermal stability

■ High power gain

■ Integrated ESD protection

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

Applications

■ CDMA

■ W-CDMA

■ GSM EDGE

■ MC-GSM

■ LTE

■ WiMAX

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BFU730LXZ

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    3V

  • 頻率 - 躍遷：

    53GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    0.75dB @ 6GHz

  • 增益：

    15.8dB

  • 功率 - 最大值：

    160mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    205 @ 2mA，3V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    30mA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    3-XFDFN

  • 供應商器件封裝：

    DFN1006C-3

  • 描述：

    RF TRANS NPN 3V 53GHZ 3DFN1006

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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