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BFU725F/N1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFU725F/N1
廠商型號(hào)

BFU725F/N1

參數(shù)屬性

BFU725F/N1 封裝/外殼為SOT-343 反向插針;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4SO

功能描述

NPN wideband silicon germanium RF transistor

文件大小

80.92 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2024-12-22 23:00:00

BFU725F/N1規(guī)格書詳情

General description

NPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.

Features

■ Low noise high gain microwave transistor

■ Noise figure (NF) = 0.7 dB at 5.8 GHz

■ High maximum stable gain 27 dB at 1.8 GHz

■ 110 GHz fT silicon germanium technology

Applications

■ 2nd LNA stage and mixer stage in DBS LNB’s

■ Satellite radio

■ Low noise amplifiers for microwave communications systems

■ WLAN and CDMA applications

■ Analog/digital cordless applications

■ Ka band oscillators (DRO’s)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BFU725F/N1,115

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    2.8V

  • 頻率 - 躍遷:

    55GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz

  • 增益:

    10dB ~ 24dB

  • 功率 - 最大值:

    136mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    160 @ 10mA,2V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    40mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-343 反向插針

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    4-SO

  • 描述:

    RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4SO

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NXP(恩智浦)
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