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BFU610F分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

BFU610F
廠商型號(hào)

BFU610F

參數(shù)屬性

BFU610F 封裝/外殼為SOT-343F;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4DFP

功能描述

NPN wideband silicon RF transistor

封裝外殼

SOT-343F

文件大小

134.37 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-7 20:49:00

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BFU610F規(guī)格書(shū)詳情

General description

NPN silicon microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.

Features and benefits

■ Low noise high gain microwave transistor

■ Noise figure (NF) = 1.7 dB at 5.8 GHz

■ High associated gain 13.5 dB at 5.8 GHz

■ 40 GHz fT silicon technology

Applications

■ Low current battery equipped applications

■ Low noise amplifiers for microwave communications systems

■ Analog/digital cordless applications

■ RKE

■ AMR

■ GPS

■ ZigBee

■ LTE, cellular, UMTS

■ FM radio

■ Mobile TV

■ Bluetooth

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BFU610F,115

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    5.5V

  • 頻率 - 躍遷:

    15GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz

  • 增益:

    13.5dB ~ 23.5dB

  • 功率 - 最大值:

    136mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    90 @ 1mA,2V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    10mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-343F

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    4-DFP

  • 描述:

    RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4DFP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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