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BFU530XR分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

BFU530XR
廠商型號(hào)

BFU530XR

參數(shù)屬性

BFU530XR 封裝/外殼為SOT-143R;包裝為托盤(pán);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R

功能描述

NPN wideband silicon RF transistor
RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R

文件大小

316.66 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

22 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊(cè)到原廠下載

更新時(shí)間

2024-11-15 23:00:00

BFU530XR規(guī)格書(shū)詳情

BFU530XR屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻。恩智浦半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的BFU530XR晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開(kāi)關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類(lèi)型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BFU530XRVL

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤(pán)

  • 晶體管類(lèi)型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    12V

  • 頻率 - 躍遷:

    11GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    1.1dB @ 1.8GHz

  • 增益:

    16.5dB

  • 功率 - 最大值:

    450mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 10mA,8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    40mA

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-143R

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-143R

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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