BFG590分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
BFG590 |
參數(shù)屬性 | BFG590 封裝/外殼為TO-253-4,TO-253AA;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT143B |
功能描述 | RF Manual 16th edition |
文件大小 |
9.37507 Mbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
130 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
nxp【恩智浦】 |
中文名稱 | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2024-11-19 22:59:00 |
BFG590規(guī)格書詳情
General description
10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.
Features and benefits
■ High efficiency
■ Excellent ruggedness
■ Designed for broadband operation
■ Excellent thermal stability
■ High power gain
■ Integrated ESD protection
■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)
Applications
■ CDMA
■ W-CDMA
■ GSM EDGE
■ MC-GSM
■ LTE
■ WiMAX
BFG590屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻。恩智浦半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的BFG590晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
BFG590/X,215
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
15V
- 頻率 - 躍遷:
5GHz
- 功率 - 最大值:
400mW
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
60 @ 70mA,8V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
200mA
- 工作溫度:
175°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-253-4,TO-253AA
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT-143B
- 描述:
RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT143B
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
23+ |
NA/ |
710 |
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詢價(jià) | ||
NXP |
2020+ |
SOT343 |
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NXP |
2012+ |
SOT143 |
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NXP/恩智浦 |
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PHILIPS |
23+ |
SOT143 |
20000 |
原廠原裝正品現(xiàn)貨 |
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NXP |
2015+ |
SOT143 |
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NEXPERIA |
23+ |
SOT-143 |
63000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
PHILIPS/飛利浦 |
2022 |
SOT343 |
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SOT-143 |
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NA |
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PHILIPS |
22+ |
SOT143 |
8000 |
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