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BFG541分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFG541
廠商型號(hào)

BFG541

參數(shù)屬性

BFG541 封裝/外殼為TO-261-4,TO-261AA;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT223

功能描述

RF Manual 16th edition

封裝外殼

TO-261-4,TO-261AA

文件大小

9.37507 Mbytes

頁面數(shù)量

130

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-21 9:36:00

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晶體管資料

  • 型號(hào):

    BFG541

  • 別名:

    BFG541三極管、BFG541晶體管、BFG541晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    表面帖裝型 (SMD)_超高頻/特高頻 (UHF)

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    20V

  • 最大電流允許值:

    0.12A

  • 最大工作頻率:

    9GHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    H-99

  • vtest:

    20

  • htest:

    9000000000

  • atest:

    0.12

  • wtest:

    0

BFG541規(guī)格書詳情

General description

10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.

Features and benefits

■ High efficiency

■ Excellent ruggedness

■ Designed for broadband operation

■ Excellent thermal stability

■ High power gain

■ Integrated ESD protection

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

Applications

■ CDMA

■ W-CDMA

■ GSM EDGE

■ MC-GSM

■ LTE

■ WiMAX

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BFG541,115

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    15V

  • 頻率 - 躍遷:

    9GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz

  • 功率 - 最大值:

    650mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 40mA,8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    120mA

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SC-73

  • 描述:

    RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT223

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NXP/恩智浦
25+
SOT223
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NXP/恩智浦
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